Zmarł Andy Grove - współtwórca potęgi Intela

22 marca 2016, 10:27

Wczoraj w wieku 79 lat zmarł Andy Grove, jeden z twórców potęgi Intela. Przyczyny śmierci nie podano. W latach 90. mężczyzna skutecznie walczył z rakiem prostaty, w 2000 roku zdiagnozowano u niego chorobę Parkinsona.



18-nanometrowe DRAM już w przyszłym roku

29 grudnia 2015, 10:37

Samsung, Micron i SK Hynix rozpoczną w przyszłym roku produkcję układów DRAM w procesie 18 nanometrów. Samsung już zakończył prace nad procesem 1X-nano D-RAM i obecnie weryfikuje możliwości masowej produkcji w tej technologii


Hynix odrzuca ofertę Tsinghua Unigroup

27 listopada 2015, 11:35

Koreański producent układów pamięci, SK Hynix, odrzucił ofertę objęcia części udziałów przez chińską Tsinghua Unigroup. Chińczycy chcieli kupić 20% akcji Hyniksa za 5,3 miliarda dolarów, pod warunkiem jednak, że koreańska firma wybuduje w Chinach fabrykę układów NAND


Współpraca przy nanostemplowaniu

6 lutego 2015, 09:23

Toshiba i SK Hynix podpisały umowę o współpracy przy rozwijaniu technik litografii wykorzystujących proces nanostemplowania (NIL – nano imprint litography). Inżynierowie obu przedsiębiorstw będą wspólnie od kwietnia bieżącego roku pracowali w laboratoriach Toshiby w Yokohama Complex


Molekuły POM przyszłością pamięci flash?

21 listopada 2014, 13:26

Nowa molekuła może być odpowiedzią na ograniczoną pojemność układów flash. Komponenty MOS (metal-oxide-semiconductor) wykorzystywane do produkcji pamięci flash są ograniczone fizycznym limitem wielkości komórki pamięci. Bardzo trudno bowiem jest je zmniejszyć poniżej 10 nanometrów, co ogranicza liczbę komórek, jakie można umieścić na tradycyjnym krzemowym układzie.


128 gigabajtów DDR4

7 kwietnia 2014, 16:27

Firma SK Hynix poinformowała o powstaniu pierwszego 128-gigabajtowego modułu pamięci DDR4. Dotychczas na rynku były dostępne jedynie moduły o pojemności 64 gigabajtów.


Inżynier IBM-a sprawdza 300-milimetrowy plaster z układami CMOS© IBM

Japońsko-amerykańska współpraca nad MRAM

25 listopada 2013, 09:13

Japońskie i amerykańskie firmy będą wspólnie pracowały nad układami MRAM - magnetorezystywnymi pamięciami o swobodnym dostępie. Mają one w niedalekiej przyszłości zastąpić powszechnie używany DRAM


Nanorurkowy komputer ze Stanforda

26 września 2013, 13:15

Na Uniwersytecie Stanforda powstał pierwszy w historii komputer, który korzysta z procesora zbudowanego całkowicie z węglowych nanorurek. Komputer jest bardzo powolny i prosty, jednak celem uczonych nie było stworzenie wydajnej maszyny, a wykazanie, że węglowe nanorurki mogą w przyszłości zastąpić krzem


Gwałtownie rosną ceny układów pamięci

6 września 2013, 10:55

Po niedawnym pożarze w fabryce Hyniksa, drugiego po Samsungu największego producenta kości pamięci, ceny układów pamięci wzrosły średnio o 19%. Pożar zniszczył fabrykę w Wuxi w pobliżu Szanghaju.


Chińska hybryda przyspiesza tranzystory

12 sierpnia 2013, 11:43

Naukowcy z chińskiego Uniwersytetu Fudan opisali w magazynie Science technologię umożliwiającą przyspieszenie tranzystorów. Chińczycy wpadli na pomysł połączenia tranzysotrów MOSFET z tunelowymi tranzystorami polowymi (TFET). Taka hybryda ma zużywać mniej prądu, a przy tym pracować szybciej


Zostań Patronem

Od 2006 roku popularyzujemy naukę. Chcemy się rozwijać i dostarczać naszym Czytelnikom jeszcze więcej atrakcyjnych treści wysokiej jakości. Dlatego postanowiliśmy poprosić o wsparcie. Zostań naszym Patronem i pomóż nam rozwijać KopalnięWiedzy.

Patronite

Patroni KopalniWiedzy